Seminar: Verbindungshalbleiter für die Photovoltaik

Halbleiter auf der Basis von II-VI-Verbindungen, Chalkopyriten und jüngst wohl auch Perowskiten haben ein großes Potenzial für die Anwendung in der Photovoltaik. Die theoretisch mögliche und im Labor auch erreichte Photoausbeute ist z. T. höher als die von Silizium. Die Kostenführerschaft von CdTe-Solarzellen zeigt, welche Vorteile Dünnschichttechnologien haben können. Dass Solarzellen auf der Basis von kristallinem Silizium trotzdem den Markt zu 90 % beherrschen, hat verschiedenste Ursachen. 

Veranstaltungsinformationen:

Datum: 08.05.2014
   
Uhrzeit: 10:00 - 17:00 Uhr
   
Ort: Audimax des Fraunhofer-FEP
Winterbergstraße 28
01277 Dresden
Anfahrtbeschreibung
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Themen:
  • Phasenbildung und Kristallwachstum (Festkörperreaktionen, Reaktionen mit der Dampfphase,
    Plasma-angeregte Prozesse)
  • Defektentstehung, Defektreaktionen
  • Grenzflächeneigenschaften
  • Elektrische und optische Eigenschaften
   
Zielgruppe:
  • Schicht- und Prozessentwickler aus der Angewandten Forschung und Solarzellenfertigung
  • Kristallographen, Chemiker und Physiker aus der Grundlagenforschung
   
Rahmen-
programm:

am 07.05.14 ab 15:00 Uhr:
Besichtigung des Fraunhofer-Institutes für Elektronenstrahl- und Plasmatechnik FEP, Winterbergstraße 28, 01277 Dresden

oder

am 07.05.14 ab 16:00 Uhr:
Besichtigung (begrenzte Teilnahme) der VON ARDENNE GmbH,
Am Hahnweg 9, 01328 Weißig

am 07.05.14 ab 19:00 Uhr:
"Get-Together" im "Watzke Brauereiausschank am Goldenen Reiter"

   
Teilnahme-
gebühr:

480,00 €
420,00 € für EFDS-Mitglieder

   
Download:

Programm 2-seitig
Programm 4-seitig

   
  Der Tagungsband kann als Druckversion bei der EFDS bestellt werden. Den Teilnehmern des Workshops stehen die Vorträge im Loginbereich bis 6 Monate nach Veranstaltungsende zum Download zur Verfügung.

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